Избранное

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTL

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTLТвердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 9100 PRO Black Client SSD PCIe Gen5x4 with NVMe, 14700/13400, IOPS 1850/2600K, MTBF 1.5M, 3D NAND, 2048MB, 1200TBW, 0,33DWPD, RTL
  • Тип
    Внутренний твердотельный накопитель
  • Модель
    MZ-VAP2T0CW
  • Назначение
    ["для игровых систем", "для ноутбуков/компьютеров"]
  • Форм-фактор накопителя
    M.2 2280
  • Номинальный объем, ГБ
    2048
  • Тип памяти
    V-NAND TLC
  • Максимальная скорость чтения, МБ/с
    14700
  • Максимальная скорость записи, МБ/с
    13400
  • Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
    1850
  • Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
    2600
  • Интерфейс
    PCI-E
  • Версия PCI-E
    PCIe 5.0 x4
  • Поддержка NVMe
    Да
  • Версия NVMe
    2.0
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
    1500
  • Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
    1200

Способы оплаты: Оплата с НДС по счётуОплата курьеру наличными

Все характеристики
В наличии: 20 шт.
Партномер: MZ-VAP2T0CW
Артикул: BS-GT6L
45 999 ₽включая НДС 22% 8 294,90 ₽

Характеристики

  • Основные характеристики
  • ТипВнутренний твердотельный накопитель
  • МодельMZ-VAP2T0CW
  • Назначение["для игровых систем", "для ноутбуков/компьютеров"]
  • Форм-фактор накопителяM.2 2280
  • Номинальный объем, ГБ2048
  • Тип памятиV-NAND TLC
  • Максимальная скорость чтения, МБ/с14700
  • Максимальная скорость записи, МБ/с13400
  • Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS1850
  • Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS2600
  • ИнтерфейсPCI-E
  • Версия PCI-EPCIe 5.0 x4
  • Поддержка NVMeДа
  • Версия NVMe2.0
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1500
  • Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ1200
  • Прочие характеристики
  • Энергопотребление при работе, max, Вт8.1
  • Наличие радиатораДа
  • Высота, мм25
  • Толщина, мм8.9
  • Особенности2GB LPDDR4X, Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
  • Тип комплектацииRTL
  • Комплект поставкиТвердотельный накопитель

Отзывы

Отзывов ещё нет, будьте первыми

Расскажите о преимуществах и недостатках товара.

Ваш отзыв поможет другим покупателям сделать выбор.

0 / 5
5 звезд0 отзывов
4 звезды0 отзывов
3 звезды0 отзывов
2 звезды0 отзывов
1 звезда0 отзывов