Избранное

Твердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NAND

Твердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NANDТвердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NANDТвердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NANDТвердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NANDТвердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NANDТвердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NAND
  • Тип
    Внутренний твердотельный накопитель
  • Серия продукции
    990 PRO
  • Модель
    990 PRO
  • Назначение
    ["для ноутбуков/компьютеров"]
  • Форм-фактор накопителя
    M.2 2280
  • Номинальный объем, ГБ
    1000
  • Тип памяти
    3D V-NAND MLC
  • Максимальная скорость чтения, МБ/с
    7450
  • Максимальная скорость записи, МБ/с
    6900
  • Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
    1200
  • Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
    1550
  • Интерфейс
    PCI-E
  • Версия PCI-E
    PCIe 4.0 x4
  • Поддержка NVMe
    Да
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
    1500
  • Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
    600

Способы оплаты: Оплата с НДС по счётуОплата курьеру наличными

Все характеристики
Под заказ
Партномер: MZ-V9P1T0B/AM
Артикул: S92-HUF
Цена по заявке

Характеристики

  • Основные характеристики
  • ТипВнутренний твердотельный накопитель
  • Серия продукции990 PRO
  • Модель990 PRO
  • Назначение["для ноутбуков/компьютеров"]
  • Форм-фактор накопителяM.2 2280
  • Номинальный объем, ГБ1000
  • Тип памяти3D V-NAND MLC
  • Максимальная скорость чтения, МБ/с7450
  • Максимальная скорость записи, МБ/с6900
  • Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS1200
  • Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS1550
  • ИнтерфейсPCI-E
  • Версия PCI-EPCIe 4.0 x4
  • Поддержка NVMeДа
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1500
  • Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ600
  • Прочие характеристики
  • Энергопотребление при работе, max, Вт7.8
  • Ударостойкость1500G/0.5мс
  • Высота, мм22
  • Толщина, мм2.3
  • Комплект поставкиНакопитель, документация
  • Ссылки на публикацииhttps://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie--4-0-nvme--ssd-1tb-mz-v9p1t0b-am/

Отзывы

Отзывов ещё нет, будьте первыми

Расскажите о преимуществах и недостатках товара.

Ваш отзыв поможет другим покупателям сделать выбор.

0 / 5
5 звезд0 отзывов
4 звезды0 отзывов
3 звезды0 отзывов
2 звезды0 отзывов
1 звезда0 отзывов