Избранное

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND
TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM
buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33
  • Тип
    Внутренний твердотельный накопитель
  • Серия продукции
    990 PRO
  • Модель
    MZ-V9P4T0BW
  • Назначение
    ["для ноутбуков/компьютеров"]
  • Форм-фактор накопителя
    M.2 2280
  • Номинальный объем, ГБ
    4000
  • Тип памяти
    V-NAND TLC
  • Максимальная скорость чтения, МБ/с
    7450
  • Максимальная скорость записи, МБ/с
    6900
  • Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
    1600
  • Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
    1550
  • Интерфейс
    PCI-E
  • Версия PCI-E
    PCIe 4.0 x4
  • Поддержка NVMe
    Да
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
    1500
  • Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
    2400

Способы оплаты: Оплата с НДС по счётуОплата курьеру наличными

Все характеристики
В наличии: 22 шт.
Партномер: MZ-V9P4T0BW
Артикул: APX-4WT
91 999 ₽включая НДС 22% 16 589,98 ₽

Характеристики

  • Основные характеристики
  • ТипВнутренний твердотельный накопитель
  • Серия продукции990 PRO
  • МодельMZ-V9P4T0BW
  • Назначение["для ноутбуков/компьютеров"]
  • Форм-фактор накопителяM.2 2280
  • Номинальный объем, ГБ4000
  • Тип памятиV-NAND TLC
  • Максимальная скорость чтения, МБ/с7450
  • Максимальная скорость записи, МБ/с6900
  • Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS1600
  • Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS1550
  • ИнтерфейсPCI-E
  • Версия PCI-EPCIe 4.0 x4
  • Поддержка NVMeДа
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1500
  • Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ2400
  • Прочие характеристики
  • Энергопотребление при работе, max, Вт8.5
  • Ударостойкость1500G/0.5мс
  • Температура эксплуатации0...+70C
  • Высота, мм22
  • Толщина, мм2.38
  • Вес, г9
  • Особенности Поддержка TRIM, S.M.A.R.T.
  • Тип комплектацииRTL
  • Комплект поставки Накопитель, инструкция

Отзывы

Отзывов ещё нет, будьте первыми

Расскажите о преимуществах и недостатках товара.

Ваш отзыв поможет другим покупателям сделать выбор.

0 / 5
5 звезд0 отзывов
4 звезды0 отзывов
3 звезды0 отзывов
2 звезды0 отзывов
1 звезда0 отзывов