Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V

• Форм-фактор памяти
  DIMM
• Тип памяти
  DDR4
• Общий объем памяти
  16
• Объем одного модуля
  16
• Количество модулей в комплекте
  1
• Частота
  3200
• Пропускная способность
  PC4-25600
• CAS Latency (CL)
  22
• RAS to CAS Delay (tRCD)
  22
• Row Precharge Delay (tRP)
  22

Способы оплаты: Оплата с НДС по счётуОплата курьеру наличными

Небуферизованный модуль DIMM.
Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.
Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.